Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 9А; Idm: 60А; 5Вт

Немає в наявності
Код товару: SQ4410EY-T1_GE3
46,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SQ4410EY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 53нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 6,04МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 6,04МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: metal film; 220мОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; CSN
Резистор: metal film; 220мОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; CSN

1,23 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1mm; GKS-112; steel; 1.5N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1mm; GKS-112; steel; 1.5N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
8мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1мм
Індикаторна лампа; 22мм; Harmony XB7; Підсв: LED; 24В; Ø22мм; IP65
Індикаторна лампа; 22мм; Harmony XB7; Підсв: LED; 24В; Ø22мм; IP65

463,76 грн

Вид індикатора:
плоска
Клас герметичності:
IP65
Колір індикатора:
зелений
Напруга живлення:
19,2...30В DC; 21,6...26,4В AC
Недоступний
Ферит: бусина; SMD; 3А; 1210; R: 42мОм; ±30%; Z: 600Ом; LCMG; 100МГц
Ферит: бусина; SMD; 3А; 1210; R: 42мОм; ±30%; Z: 600Ом; LCMG; 100МГц

4,37 грн

Допуск:
±30%
Імпеданс:
600Ом
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 487Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; 2x1,25x0,5мм
Резистор: thick film; 487Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; 2x1,25x0,5мм

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 1,8нФ; 300ВAC; 13x9x4мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 1,8нФ; 300ВAC; 13x9x4мм; THT

8,11 грн

Вид конденсатора:
Y2
Висота:
9мм
Довжина відводів:
13мм
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8

34,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK