1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7,7А; Idm: 31А; 25Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7,7А; Idm: 31А; 25Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRLR014PBF
77,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRLR014PBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 8,4нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 7,7А
Струм стоку в імпульсі: 31А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 2,49кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 2,49кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

15,97 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 604Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 604Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 0,82мкГн; 475мА; R: 0,5Ом
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 0,82мкГн; 475мА; R: 0,5Ом

10,07 грн

Високосортність:
40
Властивості дроселів:
висока вологостійкість
Індуктивність:
0,82мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V

59,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

8,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 100В; 2А; 50нс; DO214AA,SMB; Ufmax: 0,9В
Діод: випрямний; SMD; 100В; 2А; 50нс; DO214AA,SMB; Ufmax: 0,9В

39,28 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Ємність:
18пФ
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збіднений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В