Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 82А; SO8

Немає в наявності
Код товару: SQ4840CEY-T1_GE3
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SQ4840CEY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 44,8нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 6,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,1Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 82А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 1.5A

140,65 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 898Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 898Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 7,68кОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 7,68кОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
7,68кОм
Перемикач: важільний; DPDT; (ON)-OFF-(ON); Вив: конектори; 5000
Перемикач: важільний; DPDT; (ON)-OFF-(ON); Вив: конектори; 5000

434,62 грн

Виводи:
конектори
Вид важеля:
круглий
Довжина важеля:
10,5мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Резистор: thick film; 8,06Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 8,06Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,76 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
8,06Ом
Блок живлення: імпульсний; LED; 60Вт; 24ВDC; 2,5А; 220÷240ВAC; IP67
Блок живлення: імпульсний; LED; 60Вт; 24ВDC; 2,5А; 220÷240ВAC; IP67

857,83 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
2,5А
Недоступний
Резистор: thin film; 26,7Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 26,7Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD