Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 140А; Idm: 970А

Немає в наявності
Код товару: SQJ154EP-T1_GE3
26,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ154EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 43нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 214Вт
Струм стока: 140А
Струм стоку в імпульсі: 970А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 453Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 453Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 330кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 330кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 60,4кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 60,4кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6мм
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; штекерний; PIN: 8; 250В; прямий; паяння,THT
Роз’єм: провід-плата; штекерний; PIN: 8; 250В; прямий; паяння,THT

0,00 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
8
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 37,4кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 37,4кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

4,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Connector: D-Sub; PIN: 9; plug; male; data transfer; straight; 5A
Connector: D-Sub; PIN: 9; plug; male; data transfer; straight; 5A

321,85 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
9
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK