Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 154А; Idm: 385А

Немає в наявності
Код товару: SQJ140EP-T1_GE3
32,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ140EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 49,2нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 263Вт
Струм стока: 154А
Струм стоку в імпульсі: 385А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 174Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 174Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Дисковий шліфувальний диск; Ø: 125мм; Гранулювання: 40; цирконій
Дисковий шліфувальний диск; Ø: 125мм; Гранулювання: 40; цирконій

74,13 грн

Вид рукоятки:
монтажний отвір
Використання інструментів:
для видалення іржі; для зняття фарби; шліфування
Гранулювання:
40
Діаметр диску:
125мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 51пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 51пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

1,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 60мкФ; 450ВAC; Ø45x103мм; ±5%; M8
Конденсатор: поліпропиленовий; 60мкФ; 450ВAC; Ø45x103мм; ±5%; M8

774,84 грн

Виводи:
конектори
Висота:
103мм
Діаметр:
45мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; AS; 150В
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; AS; 150В

1,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 75ВDC; Ø18x25мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 75ВDC; Ø18x25мм; ±20%

60,19 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
25мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK