Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 16А; Idm: 64А

Немає в наявності
Код товару: SQS484ENW-T1_GE3
26,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS484ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 6,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 16А
Струм стоку в імпульсі: 64А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 11пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 11пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; гніздовий; MICRO; PIN: 4; Iном: 4А; 250В; IP67
Роз’єм: M12; вилка; гніздовий; MICRO; PIN: 4; Iном: 4А; 250В; IP67

0,00 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU
Кількість пін:
4
Недоступний
Діод: TVS збірка; 1,4В; двоспрямована; SOD882T; Ch: 1
Діод: TVS збірка; 1,4В; двоспрямована; SOD882T; Ch: 1

7,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
1В
Кількість каналів:
1
IC: стабілізатор напруги; 1,2В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1
IC: стабілізатор напруги; 1,2В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1

77,93 грн

Вихідна напруга:
1,2В
Вихідний струм:
0,5А
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 180мкФ; 220ВDC; Ø20x25мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 180мкФ; 220ВDC; Ø20x25мм

70,32 грн

Висота:
25мм
Діаметр:
20мм
Допуск:
±20%
Ємність:
180мкФ
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 4A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 4A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)

193,87 грн

Виводи:
для друку
Властивості перемикачів:
без важеля
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD