Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 18А; 62,5Вт

Немає в наявності
Код товару: SQS486CENW-T1_GE3
19,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS486CENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 35,2нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 5,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 18А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 47Ом; 1206; 250мВт; ±5%; SFR; 3,2x1,6x0,55мм
Резистор: thick film; 47Ом; 1206; 250мВт; ±5%; SFR; 3,2x1,6x0,55мм

1,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; SMT; 3A; 250V

433,35 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
5,5мм
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; нерегульований; 1,8В; 200мА; SOT223; SMD
IC: стабілізатор напруги; нерегульований; 1,8В; 200мА; SOT223; SMD

35,99 грн

Вид стабілізатора напруги:
нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,8В
Вихідний струм:
0,2А
Недоступний
Резистор: thick film; 1,02МОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 1,02МОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
1,02мОм
Недоступний
Провід: управління; 25G0,75мм2; ПВХ; чорний; тросик; Cu; 15мм
Провід: управління; 25G0,75мм2; ПВХ; чорний; тросик; Cu; 15мм

852,13 грн

Bластивості проводів:
самонесучий
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; 4,5А; R: 45,2мОм; ±20%; IHLP
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; 4,5А; R: 45,2мОм; ±20%; IHLP

41,81 грн

Властивості дроселів:
дуже низький рівень акустичного шуму; екрановані; на великий струм; низька величина DCR/uH
Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Монтаж:
SMD
Недоступний
Захисні рукавички; Розмір: 7; рожево-чорний; підвіска
Захисні рукавички; Розмір: 7; рожево-чорний; підвіска

96,93 грн

Вид упаковки:
підвіска
Відповідність стандарту:
CE; EN ISO 21420
Колір:
рожево-чорний
Матеріал:
latex; нейлонова тканина
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK