Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 190А; Idm: 750А

Немає в наявності
Код товару: SQJQ148E-T1_GE3
71,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ148E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 69нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 325Вт
Струм стока: 190А
Струм стоку в імпульсі: 750А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 6,42кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73R; 50В
Резистор: thin film; 6,42кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73R; 50В

1,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Потенціометр: монтажний; 50кОм; однообертовий; горизонтальний
Потенціометр: монтажний; 50кОм; однообертовий; горизонтальний

16,54 грн

Вид потенціометра:
однообертовий
Висота:
6мм
Діаметр:
15мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 0402; 62,5мВт,63мВт; ±1%
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 0402; 62,5мВт,63мВт; ±1%

0,00 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 10; THT; 3A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 10; THT; 3A; 125V

74,76 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
5,5мм
Довжина відводів:
3мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V

545,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Роз’єм: живлення AC; роз'єм живлення; 6А; 250ВAC; HP; на панель
Роз’єм: живлення AC; роз'єм живлення; 6А; 250ВAC; HP; на панель

3371,14 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Електричний монтаж:
паяння
Конструкція:
фільтр
Конфігурація контактів:
DPST
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8

34,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK