Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 200А; 150Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJQ100EL-T1_GE3
91,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ100EL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 0,22мкКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 0,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Стрічка; 6мм; 8м; жовтий; до принтера; Колір знаку: чорний
Стрічка; 6мм; 8м; жовтий; до принтера; Колір знаку: чорний

839,46 грн

Довжина:
8м
Застосування складських аксесуарів:
до принтера
Колір:
жовтий
Колір друкованого знаку:
чорний
Резистор: thick film; 383Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 383Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 200В; SMB; SMD; 100А; двоспрямована; UBO: 265В
Тиристор: TSS; Urmax: 200В; SMB; SMD; 100А; двоспрямована; UBO: 265В

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 27кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,5%; ARG; 75В
Резистор: thin film; 27кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,5%; ARG; 75В

0,25 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 47мкФ; 50ВDC; Ø8x12мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 47мкФ; 50ВDC; Ø8x12мм; ±20%

2,77 грн

Висота:
12мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Резистор: thick film; 1,58кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF
Резистор: thick film; 1,58кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 66Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 66Вт

1228,46 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вид корпусу:
903
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
12В DC
Транзистор: N-MOSFET; 179В; 43А
Транзистор: N-MOSFET; 179В; 43А

19184,64 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
179В
Струм стока:
43А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В