Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 200А; 150Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJQ100E-T1_GE3
91,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ100E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 0,22мкКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 0,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 30Ом; THT; TO220; 50Вт; ±10%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30Ом; THT; TO220; 50Вт; ±10%; 500В; -55÷155°C

392,80 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±10%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: metal film; 6,19кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 6,19кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 35В; 7,5Аx2; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 35В; 7,5Аx2; ролик,cтрічка

38,65 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
0,4нФ
Зворотна напруга макс.:
35В
Корпус:
D2PAK
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; SMT; straight

41,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 0805; 1,27кОм; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 0805; 1,27кОм; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
1,27кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,10 грн

Alias:
KAM31ER71H334KL
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

4,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD