Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 214А; Idm: 670А

Немає в наявності
Код товару: SQJQ148ER-T1_GE3
70,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ148ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 68нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 394Вт
Струм стока: 214А
Струм стоку в імпульсі: 670А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 10м; вилка; 30ВDC; 4А; Жили: 4; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 10м; вилка; 30ВDC; 4А; Жили: 4; PUR

1702,36 грн

Довжина кабелю:
10м
Індикація:
LED
Кількість діодів:
3
Кількість пін:
4
Недоступний
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 20В; If: 200Аx2; TO240AA
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 20В; If: 200Аx2; TO240AA

3099,98 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
20В
Корпус:
TO240AA
Недоступний
Резистор: thin film; 178Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 178Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 50ВDC; Ø6,3x5,8мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 50ВDC; Ø6,3x5,8мм; ±20%

6,91 грн

Висота:
5,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
підвищена температура пайки
Діаметр:
6,3мм
Недоступний
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; DPDT; 0,1A/30ВDC; прозорий; LP4; THT
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; DPDT; 0,1A/30ВDC; прозорий; LP4; THT

148,89 грн

Виводи:
для друку
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Колір кнопки:
прозорий
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 6÷72ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1А; SIP3; THT
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 6÷72ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1А; SIP3; THT

507,48 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
6...72В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 3,3В; SMD; DO213AB,MELF glass; 100мкА
Діод: зенера; 1Вт; 3,3В; SMD; DO213AB,MELF glass; 100мкА

171,06 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,3В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6