Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 21А; Idm: 50А; 10Вт

Немає в наявності
Код товару: SIR836DP-T1-GE3
23,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR836DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 19мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 10Вт
Струм стока: 21А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Вимикач максимального струму; 277ВAC; 30А; Полюси: 3; на шину DIN
Вимикач максимального струму; 277ВAC; 30А; Полюси: 3; на шину DIN

8006,22 грн

Кількість полюсів:
3
Монтаж:
на шину DIN
Номінальна напруга:
277В AC
Номінальний струм:
30А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 330мм

2,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; 0201; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; 0201; 180мм

1,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 180мм

1,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HQ; 200В

2,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений

9,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
U-DFN2030-6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD