Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 238А; Idm: 1653А

Немає в наявності
Код товару: SQJQ140ER-T1_GE3
126,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ140ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 192нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 0,65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 214Вт
Струм стока: 238А
Струм стоку в імпульсі: 1653А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,65кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,65кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 30,1кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RC; -55÷125°C
Резистор: thick film; 30,1кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RC; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Блок живлення: імпульсний; 24ВDC; 6,67А; Вих: KYCON KPPX-4P; 160Вт
Блок живлення: імпульсний; 24ВDC; 6,67А; Вих: KYCON KPPX-4P; 160Вт

2306,14 грн

Вид блоку живлення:
мережевий; настільний
Вид вихідного з'єднання:
KYCON KPPX-4P
Вид вхідного роз'єму:
IEC C14
Вихідна напруга:
24В DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THT; 3A; 100V

361,76 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 2А; R: 60мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 2А; R: 60мОм; ±20%

10,33 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
60мОм
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,79 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт

350,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
10,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD