Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 330А; Idm: 1800А

Немає в наявності
Код товару: SQJQ144AER-T1_GE3
81,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ144AER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 116нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 0,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм стока: 330А
Струм стоку в імпульсі: 1,8кА
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 4; промислова; SAI; 30В; вертикальне; IP67
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 4; промислова; SAI; 30В; вертикальне; IP67

497,97 грн

Alias:
SAIE-M8B-4S-F9THR
Connector family:
промислова
Електричний монтаж:
THR; THT; паяння
Кількість пін:
4
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 19; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 19; THT; 1.5A; 60V

532,82 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
10,8мм
Довжина відводів:
4мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 100V

57,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В
Резистор: thick film; 1,2МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В

7,10 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thin film; 7,15кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 7,15кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

1,13 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 8; 3A; vertical; 2.54mm; UL94V-0
Connector: pin strips; data; PIN: 8; 3A; vertical; 2.54mm; UL94V-0

77,29 грн

Connector family:
data
Кількість пін:
8
Клас горючості:
UL94V-0
Матеріал контакту:
сплав міді
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; HQ; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; HQ; 250В; -55÷155°C

5,26 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26