Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 350А; 500Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJA36EP-T1_JE3
55,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJA36EP-T1_JE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 86нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,24мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 500Вт
Струм стока: 350А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Uвх: 40÷160ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 3125мА
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Uвх: 40÷160ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 3125мА

3985,69 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
3,125А
Вхідна напруга:
40...160В DC
Додаткові функції:
дистанційне управління ON/OFF
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; CRCW0805
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; CRCW0805

0,11 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 30,4В; 9,5А; двоспрямована; SMA; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 400Вт; 30,4В; 9,5А; двоспрямована; SMA; ролик,cтрічка

5,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
26В
Корпус:
SMA
Недоступний
Резистор: thin film; 169Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 169Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

6,40 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 47,5кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 47,5кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%

4,50 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт

350,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
10,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD