Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 43А; Idm: 200А

Немає в наявності
Код товару: SQJ146EP-T1_GE3
21,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ146EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 75Вт
Струм стока: 43А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 670мА
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 670мА

2797,14 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,67А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; MX150; 14В; PIN: 1; 2мм2
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; MX150; 14В; PIN: 1; 2мм2

58,92 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання; компресійний
Кількість пін:
1
Колір:
червоний
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,3В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,3В

122,91 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,3В
Вихідний струм:
0,5А
Недоступний
Резистор: thin film; 8,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 8,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; CQ; 200В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 240пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 240пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603

1,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 2,32Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 2,32Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В

31,30 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4320
Корпус - мм:
1150
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,51нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; 198Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; 198Вт; TO263

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,2нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 67А; 33Вт; DFN5x6

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD