Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 50А; Idm: 70А; 53Вт

Немає в наявності
Код товару: SIR414DP-T1-GE3
53,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR414DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 117нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 28мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 53Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; ±20%; 5,8x5,2x4,5мм; ферит; 100мОм
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; ±20%; 5,8x5,2x4,5мм; ферит; 100мОм

6,78 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NS; 200В
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NS; 200В

1,55 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
LED; УФ-С; Корп.(мм): 3535; 120°; 20мА; λd: 270÷280нм; 5÷9ВDC; SMD
LED; УФ-С; Корп.(мм): 3535; 120°; 20мА; λd: 270÷280нм; 5÷9ВDC; SMD

135,58 грн

Довжина хвилі λd:
270...280нм
Колір діода LED:
УФ-С
Корпус - мм:
3535
Кут світіння:
120°
Недоступний
Резистор: thin film; 2,67кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 2,67кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Connector: PCB to PCB; male; data; PIN: 50; angled,right; Inom: 1A
Connector: PCB to PCB; male; data; PIN: 50; angled,right; Inom: 1A

647,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
6,75мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Амперметр; цифровий,монтажний; 4÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний
Амперметр; цифровий,монтажний; 4÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний

5340,22 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
струму DC
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Недоступний
Резистор: thin film; 97,6Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 97,6Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8