Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 54А; Idm: 203А

Немає в наявності
Код товару: SQS146ELNW-T1_GE3
17,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS146ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 5,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 91Вт
Струм стока: 54А
Струм стоку в імпульсі: 203А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 12,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 12,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
LED; 3мм; червоний; 4200÷5000мкд; 30°; Голівка: опукла; 1,8÷2,6ВDC
LED; 3мм; червоний; 4200÷5000мкд; 30°; Голівка: опукла; 1,8÷2,6ВDC

32,94 грн

Властивості діодів LED:
без стопера
Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина хвилі λd:
620...630нм
Недоступний
Резистор: thick film; 169Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 169Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 4,02кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%; 25В
Резистор: thick film; 4,02кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%; 25В

0,32 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; HQ; 50В
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; HQ; 50В

0,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Роз’єм: живлення DC; гніздо; роз'єм живлення; ES-100A; 100А; 1,5кВ
Роз’єм: живлення DC; гніздо; роз'єм живлення; ES-100A; 100А; 1,5кВ

255,96 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Застосування роз’ємів:
для систем зберігання енергії
Кількість пін:
1
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 10мФ; 25ВDC; Ø25x30мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 10мФ; 25ВDC; Ø25x30мм; ±20%

353,52 грн

Висота:
30мм
Діаметр:
25мм
Допуск:
±20%
Ємність:
10мФ
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 30А; 60Вт; DPAK; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 30А; 60Вт; DPAK; автомобільна галузь

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 74А
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 74А

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22нКл
Напруга сток-джерело:
150В
Струм стока:
74А
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 24А; 142Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 24А; 142Вт

197,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
51нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 2А
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 2А

4216,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
40В
Струм стока:
2А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD