Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 575А; 600Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJQ144AE-T1_JE3
79,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ144AE-T1_JE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 116нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 0,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм стока: 575А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

13,30 грн

Alias:
KGF21KR71H224KU
Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діаметр роліка макс.:
180мм
Недоступний
Резистор: thick film; 0402; 100Ом; 100мВт; ±5%; MR; 1x0,5мм
Резистор: thick film; 0402; 100Ом; 100мВт; ±5%; MR; 1x0,5мм

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
1x0,5мм
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 16ВDC; THT; B; ±10%; -55÷125°C; T110
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 16ВDC; THT; B; ±10%; -55÷125°C; T110

639,26 грн

Виводи:
осьові
Висота:
12,04мм
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Діаметр:
4,7мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

1,94 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
27пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD