Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 150А
Brand: VISHAY
SKU: SQJA46EP-T1_GE3
Price: 35.48 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 150А

Немає в наявності

Код товару: SQJA46EP-T1_GE3

35,48 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SQJA46EP-T1_GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

105нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

3мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

68Вт

Струм стока:

60А

Струм стоку в імпульсі:

150А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

1,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
330мм

Діелектрик:
C0G (NP0)

Допуск:
±5%

Бажані

Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 12А; Дл: 0,5м

319,31 грн

Довжина проводу:
0,5м

Ізоляційний матеріал проводу:
силікон

Колір:
чорний

Конструкція вимірювального проводу:
вилка типа "банан" 4 мм; з обох сторін

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 56мОм; 1210; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

3,21 грн

Допуск:
±1%

Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.

Корпус - дюйм:
1210

Корпус - мм:
3225

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
72нКл

Корпус:
FG (TO263AB)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT323

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
142нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна

Заряд затвора:
115нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT523

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
8,6нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
SOT23-3