Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 62,8А

Немає в наявності
Код товару: SIS4406DN-T1-GE3
20,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIS4406DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 23,7нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,75мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 62,8А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 150Ом; 3Вт; -55÷175°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 150Ом; 3Вт; -55÷175°C; 100ppm/°C

66,52 грн

Опір:
150Ом
Потужність:
3Вт
Робоча температура:
-55...175°C
Температурний коефіцієнт:
100ppm/°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A

111,51 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
4,8мм
Connector: wire-board; socket; male; data; Minitek; 2A; PIN: 16; 2mm
Connector: wire-board; socket; male; data; Minitek; 2A; PIN: 16; 2mm

76,66 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
відрізні з бобіни
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: TVS; 0,2кВт; 111÷123В; 1,2А; односпрямована; SOD123F; SMF
Діод: TVS; 0,2кВт; 111÷123В; 1,2А; односпрямована; SOD123F; SMF

3,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 36,8В; 8,26А; односпрямована; SMF,SOD123F
Діод: TVS; 400Вт; 36,8В; 8,26А; односпрямована; SMF,SOD123F

20,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SMF; SOD123F
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; ±20%; 330мА; ферит; 520мОм
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; ±20%; 330мА; ферит; 520мОм

6,46 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мГн
Матеріал стержня:
ферит
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 008004
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 008004

2,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; 179В; 43А
Транзистор: N-MOSFET; 179В; 43А

19184,64 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
179В
Струм стока:
43А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В