Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 75А; Idm: 238А

Немає в наявності
Код товару: SQJ144EP-T1_GE3
26,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ144EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 148Вт
Струм стока: 75А
Струм стоку в імпульсі: 238А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Аксесуари: корпус; PIN: 6; Gecko-SL; сплав алюмінію; 2x3; розсипний
Аксесуари: корпус; PIN: 6; Gecko-SL; сплав алюмінію; 2x3; розсипний

2806,01 грн

Вид упаковки:
розсипний
Застосування - серія/виробник:
Gecko-SL
Кількість пін:
6
Матеріал корпусу:
сплав алюмінію
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; SMT; straight

126,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,4мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 120ВDC; DPDT; 20А; 10A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 120ВDC; DPDT; 20А; 10A/250ВAC

4618,61 грн

Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Зовнішні розміри:
73x38,2x85,4мм
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Реактор: дротяний; THT; L: 7мГн; 5А; Інд.один.обм: 7мГн; 23,012мм
Реактор: дротяний; THT; L: 7мГн; 5А; Інд.один.обм: 7мГн; 23,012мм

204,00 грн

Висота:
23,012мм
Індуктивність:
7мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
7мГн
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 165кsps; 4,75÷5,25В; TSSOP28
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 165кsps; 4,75÷5,25В; TSSOP28

1027,62 грн

Відносна погрішність:
2LSB
Інтерфейс:
parallel
Кількість каналів:
1
Корпус:
TSSOP28
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD