1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 88А; 91Вт

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 88А; 91Вт
Немає в наявності
Код товару: SQS146ENW-T1_GE3
17,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS146ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 91Вт
Струм стока: 88А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Діод: TVS; 600Вт; 17,8÷19,7В; 23,1А; односпрямована; ±5%; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 17,8÷19,7В; 23,1А; односпрямована; ±5%; SMBJ

14,95 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
16В
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 4МбFLASH; SPI; 512Кx8бит; 40МГц; 2,3÷3,6В; SOIC8
IC: пам'ять FLASH; 4МбFLASH; SPI; 512Кx8бит; 40МГц; 2,3÷3,6В; SOIC8

51,95 грн

Вид пам’яті:
Flash; NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SOIC8
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; PIN: 6; прямий; на панель; синій
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; PIN: 6; прямий; на панель; синій

33,58 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
6
Клас горючості:
UL94V-0
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; Iном: 3А; прямий; Iмакс: 3А
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; Iном: 3А; прямий; Iмакс: 3А

10,96 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Максимальна напруга:
250В AC
Максимальний струм:
3А
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Ключ: тріскачка; насадковий; 3/4"; хром-ванадієва сталь
Ключ: тріскачка; насадковий; 3/4"; хром-ванадієва сталь

5112,78 грн

Вид ключа:
насадковий
Відповідність стандарту:
DIN 3122; ISO 3315
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Розмір гнізда тримача - дюйм:
3/4"
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V

51,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
10,1мм
Транзистор: N-MOSFET; 179В; 43А
Транзистор: N-MOSFET; 179В; 43А

19184,64 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
179В
Струм стока:
43А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В