Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 97А; Idm: 315А

Немає в наявності
Код товару: SQJ142EP-T1_GE3
24,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ142EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 191Вт
Струм стока: 97А
Струм стоку в імпульсі: 315А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 62Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 62Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

1,94 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
560пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 2,49кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 2,49кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

7,67 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 8,87кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 8,87кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M12; 5м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M12; 5м; IP67

1535,10 грн

Дальність:
0...4мм
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NPN / NO
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1670мА
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1670мА

2626,71 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
1,67А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Комбінезон; Розмір: S; помаранчево-темно-синій; на підтяжках
Комбінезон; Розмір: S; помаранчево-темно-синій; на підтяжках

1954,51 грн

Вага:
140г/м2
Колір:
помаранчево-темно-синій
Модель:
на підтяжках
Розмір:
S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26