Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 9А; Idm: 36А

Немає в наявності
Код товару: SQA450CEJW-T1_GE3
8,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQA450CEJW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 19мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 13,6Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 36А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: wire-wire; plug; male/female; data; 20A; PIN: 3; 6.35mm
Connector: wire-wire; plug; male/female; data; 20A; PIN: 3; 6.35mm

12,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний/гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
3
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 8А; 60мОм; -55÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 8А; 60мОм; -55÷125°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; THT; straight

66,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
37,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 3,3нФ; 2кВDC; 700ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 3,3нФ; 2кВDC; 700ВAC; THT

9,82 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Довжина відводів:
6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 66,5Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 66,5Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

1,72 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,3пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD