Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 118А; Idm: 500А

Немає в наявності
Код товару: SQJQ466E-T1_GE3
84,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ466E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 135нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 1,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 118А
Струм стоку в імпульсі: 500А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: 15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: 15ВDC

1615,56 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
15В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 2010; 1,5Вт; ±5%; AS; 400В
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 2010; 1,5Вт; ±5%; AS; 400В

3,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 16A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; з важелем
Мікроперемикач SNAP ACTION; 16A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; з важелем

44,98 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з важелем
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 160кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 160кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,58 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 1,69кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,69кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 665кОм; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 665кОм; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
665кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 267Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 267Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK