Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 13А; Idm: 90А; 37Вт

Немає в наявності
Код товару: SQD23N06-31L_GE3
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQD23N06-31L_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 16нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 31мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 37Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 90А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Наконечник: кільцевий; M6; 10мм2; затискання; для проводу; мідь
Наконечник: кільцевий; M6; 10мм2; затискання; для проводу; мідь

12,04 грн

Внутрішній діаметр кільця:
6,5мм
Електричний монтаж:
затискання
Матеріал контакту:
мідь
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
Резистор: thick film; 14,7Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 14,7Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 178кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 178кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Електроізоляційна трубка; цегельний; скловолокно; -60÷250°C; 1мм
Електроізоляційна трубка; цегельний; скловолокно; -60÷250°C; 1мм

9,25 грн

Діаметр внутрішній:
1мм
Електрична міцність:
4кВ/мм
Колір:
цегельний
Матеріал:
скловолокно
Недоступний
Резистор: thick film; 787мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 787мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

1,09 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD