Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 15,5А; Idm: 55А

Немає в наявності
Код товару: SQS414CENW-T1_GE3
17,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS414CENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 23мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 15,5А
Струм стоку в імпульсі: 55А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: D-Sub; PIN: 9; plug; male; data transfer; angled; black
Connector: D-Sub; PIN: 9; plug; male; data transfer; angled; black

399,14 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
9
Недоступний
Реле: герконове; Uкотушки: 5ВDC; SPST-NO; 1,2А; макс.200ВDC; 20Вт
Реле: герконове; Uкотушки: 5ВDC; SPST-NO; 1,2А; макс.200ВDC; 20Вт

712,11 грн

Електрична стійкість:
1000000000 цикли
Зовнішні розміри:
15,1x6,6x3,7мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
1,2А
Недоступний
Резистор: thin film; 17,4кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 17,4кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

7,98 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; soldering; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; soldering; 3A

9,50 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
3,048мм
Електричний монтаж:
паяння
Недоступний
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0; 75В

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; 2,2нФ; 1кВ; ±5%; THT; Вив: радіальні
Конденсатор: керамічний; 2,2нФ; 1кВ; ±5%; THT; Вив: радіальні

700,71 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±5%
Ємність:
2,2нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; AS; 200В

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD