Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 150А; Idm: 500А

Немає в наявності
Код товару: SUM50010EL-GE3
121,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: SUM50010EL-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 192нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 1,73мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 150А
Струм стоку в імпульсі: 500А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 35ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 35ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603

3,99 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 200В; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 200В; X7R; ±5%; SMD; 0603

2,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
FLEXITERM; гнучкі закінчення
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 200МГц; SMD; PIC32; лоток; -40÷85°C
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 200МГц; SMD; PIC32; лоток; -40÷85°C

610,11 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PMP; PoR
Інтерфейс:
ADC; I2C; I2S; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
120
Недоступний
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
1x0,5x0,35мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,4пФ
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; R79; 1нФ; 630ВDC; 220ВAC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; R79; 1нФ; 630ВDC; 220ВAC; THT; ±5%

11,02 грн

Довжина відводів:
17мм
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Імпульсна міцність:
500В/мкс
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD