Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 15А; Idm: 60А

Немає в наявності
Код товару: SI7478DP-T1-E3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7478DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 160нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 7,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Перемикач: антивандальний; SPST; IP67; ON-(OFF); Підсв: LED; сталь
Перемикач: антивандальний; SPST; IP67; ON-(OFF); Підсв: LED; сталь

1676,38 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
50000 цикли
Клас герметичності:
IP67
Колір корпусу:
срібний
Недоступний
Резистор: thin film; 187Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 187Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Трансформатор: струмовий; ASK 31.3; I AC: 250А; 5ВА; 75,5x61x48мм
Трансформатор: струмовий; ASK 31.3; I AC: 250А; 5ВА; 75,5x61x48мм

1651,67 грн

Зовнішні розміри:
75,5x61x48мм
Клас точності:
1
Потужність:
5ВА
Серія виробника:
ASK 31.3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,04 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Вентилятор: EC; центробіжній; 230ВAC; Ø285x124мм; 1300м3/г; IP55
Вентилятор: EC; центробіжній; 230ВAC; Ø285x124мм; 1300м3/г; IP55

9364,56 грн

Вид вентилятора:
центробіжній
Вид підшипника:
кульковий
Довжина проводу:
0,5м
Клас герметичності:
IP55
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷200А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷200А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

1855,68 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості вимірювальних приладів:
з затвердженням контролю якості; поділка 0..100%
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Недоступний
Модуль автоматики: інвертор; 22/30кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC
Модуль автоматики: інвертор; 22/30кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC

0,00 грн

Вихідна напруга інвертора:
3 x 400В AC
Монтаж:
настінний
Потужність двигуна макс.:
22/30кВт
Серія виробника:
3G3M1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA

363,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
D3PAK; TO268