Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 287А; Idm: 500А

Немає в наявності
Код товару: SIRS4600DP-T1-RE3
111,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIRS4600DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 81нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 1,15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 278Вт
Струм стока: 287А
Струм стоку в імпульсі: 500А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0402; 166мВт; ±1%; ERJ2BQF; 50В
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0402; 166мВт; ±1%; ERJ2BQF; 50В

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Амперметр; цифровий,монтажний; 4÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний
Амперметр; цифровий,монтажний; 4÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний

5340,22 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
струму DC
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Недоступний
Резистор: thin film; 328Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 328Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; RJ45 вилка,з обох сторін; 10м; тросик
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; RJ45 вилка,з обох сторін; 10м; тросик

159,02 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вид кабелю:
U/UTP
Недоступний
Амперметр; цифровий,монтажний; 4÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний
Амперметр; цифровий,монтажний; 4÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний

5340,22 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
струму DC
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPDT; Iконтактів max: 15А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPDT; Iконтактів max: 15А

284,47 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
28,6x15,4x10,2мм
Кількість пін:
5
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJUP6D
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJUP6D

2,41 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт

350,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
10,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD