Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 29А; Idm: 160А

Немає в наявності
Код товару: SQD40N06-14L_GE3
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQD40N06-14L_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 75Вт
Струм стока: 29А
Струм стоку в імпульсі: 160А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; THT; 56мкФ; 450ВDC; Ø18x31,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 56мкФ; 450ВDC; Ø18x31,5мм; ±20%

57,02 грн

Висота:
31,5мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Ємність:
56мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 54; Press-Fit; 3A; vertical
Connector: pin strips; data; PIN: 54; Press-Fit; 3A; vertical

534,72 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
Press-Fit
Кількість пін:
54
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 126Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 126Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 16кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 16кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

2,43 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: контролер PoE; RGMII; HSBGA260; Ch: 4; лоток; 0÷100°C
IC: контролер PoE; RGMII; HSBGA260; Ch: 4; лоток; 0÷100°C

1466,04 грн

Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
RGMII
Кількість каналів:
4
Корпус:
HSBGA260
Недоступний
Резистор: thin film; 82,5Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 82,5Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK