Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 41А; Idm: 156А

Немає в наявності
Код товару: SQS166ELNW-T1_GE3
18,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS166ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 32нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 8,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 91Вт
Струм стока: 41А
Струм стоку в імпульсі: 156А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: DC; 38x38x28мм; осьовий; 12ВDC; 30,75м3/г; 51,8дБА
Вентилятор: DC; 38x38x28мм; осьовий; 12ВDC; 30,75м3/г; 51,8дБА

558,16 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Резистор: thick film; 665кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 665кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
665кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 270кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 270кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
270кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 127Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 127Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 39,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 39,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 270мкГн; 340мА; R: 1,64Ом; ±20%; -40÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 270мкГн; 340мА; R: 1,64Ом; ±20%; -40÷125°C

10,58 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,27мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
1,64Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2,4Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

2,10 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD