Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 461А; 348Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJQ160EL-T1_GE3
103,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ160EL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 348Вт
Струм стока: 461А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; HF179F; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; HF179F; THT

172,96 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
30000 цикли
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
13,2В DC
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
20пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 75пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 75пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%; ERA3ARW
Резистор: thin film; 1,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%; ERA3ARW

16,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,05%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 6,8мкФ; 100ВDC; Ø5x11мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 6,8мкФ; 100ВDC; Ø5x11мм; ±20%

0,72 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
6,8мкФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD