Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 48А; Idm: 140А

Немає в наявності
Код товару: SQJA62EP-T1_GE3
46,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJA62EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 55нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 68Вт
Струм стока: 48А
Струм стоку в імпульсі: 140А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 10÷56ВDC; Uвих: 6÷52ВDC; Iвих: 500мА; NLDD
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 10÷56ВDC; Uвих: 6÷52ВDC; Iвих: 500мА; NLDD

259,76 грн

Використання:
LED
Вихідна напруга:
6...52В DC
Вихідний струм:
0,5А
Властивості блоків перетворювачів:
PWM-димминг; remote ON/OFF control
Недоступний
Резистор: thin film; 3,9кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 3,9кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

2,45 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0603

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,07кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,07кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: DIN 41612; гніздо; гніздовий; прямий; затискання
Роз’єм: DIN 41612; гніздо; гніздовий; прямий; затискання

562,60 грн

Engineering PN:
DIN-Signal coax f, solder-50Ohm
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,3пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 3,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 3,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD