Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6,9А; Idm: 25А

Немає в наявності
Код товару: SQ4064EY-T1_BE3
27,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SQ4064EY-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 29нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 19,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 6,8Вт
Струм стока: 6,9А
Струм стоку в імпульсі: 25А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Транзистор: NPN; біполярний; Darlington; 110В; 1,5А; 1Вт; SOT223
Транзистор: NPN; біполярний; Darlington; 110В; 1,5А; 1Вт; SOT223

41,81 грн

Вид транзистора:
Darlington
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 28; Press-Fit; 3A; vertical
Connector: pin strips; data; PIN: 28; Press-Fit; 3A; vertical

277,50 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
Press-Fit
Кількість пін:
28
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 37,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 37,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 536Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 536Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 40мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 40мА

532,19 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
40мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 6,2кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 6,2кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 8,25кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 8,25кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK