Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 75А; 68Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJA66EP-T1_GE3
38,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJA66EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 64,9нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 68Вт
Струм стока: 75А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V

389,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 82кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 82кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

6,91 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кристал; 8МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 8пФ; Стаб.част: ±50ppm
Кристал; 8МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 8пФ; Стаб.част: ±50ppm

0,00 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
8пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...125°C
Недоступний
Резистор: thick film; 1,27Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 1,27Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

9,63 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Модуль автоматики: інвертор; 18,5кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC
Модуль автоматики: інвертор; 18,5кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC

78341,45 грн

Вихідна напруга інвертора:
3 x 400В AC
Вихід напруги:
0...10В
Вихідна частота:
0...500Гц
Властивості входу 1:
задавання швидкості обертання сигналом 0...10В, 4...20мА, 0...20мА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 270мкФ; 63ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 270мкФ; 63ВDC; ±20%

24,39 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
25мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
12,5мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD