Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SQ3426EV-T1_GE3
39,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SQ3426EV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,3нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 71мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: 7А
Струм стоку в імпульсі: 29А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Гніздовий; для проводу; прямий; затискання; фосфориста бронза
Гніздовий; для проводу; прямий; затискання; фосфориста бронза

18,75 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Максимальний струм:
3,1А
Матеріал контакту:
фосфориста бронза
Недоступний
Резистор: thin film; 1,32кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 1,32кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V

81,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Довжина контакту:
10,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 330мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 330мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

3,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 3,6МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В

0,11 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 250V

172,33 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0806; 82мкГн; 150мА; R: 8,76Ом; ±20%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 0806; 82мкГн; 150мА; R: 8,76Ом; ±20%; LQH

5,83 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
82мкГн
Корпус - дюйм:
0806
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл