Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 9А; 13,6Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 9А; 13,6Вт
Brand: VISHAY
SKU: SQA444CEJW-T1_GE3
Price: 7.67 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SQA444CEJW-T1_GE3

7,67 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SQA444CEJW-T1_GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

6нКл

Корпус:

PowerPAK® SC70

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

60В

Опір в стані провідності:

39мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

13,6Вт

Струм стока:

9А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
15нКл

Корпус:
SOT223

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23-3

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
PICOSTAR3

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка

Заряд затвора:
14нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
66нКл

Корпус:
PDFN56

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Заряд затвора:
22,4нКл

Корпус:
TSOT26