Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 70В; 42,3А

Немає в наявності
Код товару: SISS176LDN-T1-UE3
21,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SISS176LDN-T1-UE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12,6нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 70В
Опір в стані провідності: 10,9мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 42,3А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

45,62 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
-600...290мА
Кількість каналів:
2
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 5,6мкГн; 500мА; R: 0,47Ом; ±10%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 5,6мкГн; 500мА; R: 0,47Ом; ±10%; LQH

7,48 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
5,6мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 20ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 20ВDC; Uвих.2: -5ВDC

645,59 грн

Вихідна напруга:
20В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
75мА
Вхідна напруга:
24В DC
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 600В; 3А; SMC; Ufmax: 1,15В; Ifsm: 80А
Діод: випрямний; SMD; 600В; 3А; SMC; Ufmax: 1,15В; Ifsm: 80А

34,21 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Роз’єм: MCX; вилка; штекерний; коаксіальний; прямий; 50Ом; PTFE
Роз’єм: MCX; вилка; штекерний; коаксіальний; прямий; 50Ом; PTFE

527,12 грн

Connector family:
коаксіальний
Вид кабелю:
Belden 7805A; Belden 8216; Belden 83269; Belden 83284; Belden 84316; Leoni DACAR 462; Leoni DACAR 462-2; RG174; RG188; RG316; Shikoku 1.5DS-QFB-TA; Sumitomo 1.5DS-GXC-SP; Times LMR-100A; Times RG-174LL
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Недоступний
Резистор: thick film; 9,31кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 9,31кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Connector: D-Sub; male; data transfer; crimped; copper alloy
Connector: D-Sub; male; data transfer; crimped; copper alloy

15,84 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Матеріал контакту:
сплав міді
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 3,5А; Idm: 14А; 2,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 3,5А; Idm: 14А; 2,5Вт; SOT23

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 79А; Idm: 500А; 89,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 79А; Idm: 500А; 89,2Вт

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
73,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 90А; Idm: 360А; 118Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 90А; Idm: 360А; 118Вт

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 148А; 75Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 148А; 75Вт

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 58А; Idm: 232А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 58А; Idm: 232А; 48Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8