1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 70В; 42,3А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 70В; 42,3А
Немає в наявності
Код товару: SISS176LDN-T1-UE3
21,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SISS176LDN-T1-UE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12,6нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 70В
Опір в стані провідності: 10,9мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 42,3А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

11,40 грн

Alias:
KAF21BR72A222KT
Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 90В; 10,4А; односпрямована; DO13; Ch: 1; -65÷175°C
Діод: TVS; 1,5кВт; 90В; 10,4А; односпрямована; DO13; Ch: 1; -65÷175°C

1061,20 грн

Зворотна напруга макс.:
81В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO13
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 976Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 976Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 1,5м; Стандарт: Omron; Sigma-5; 400Вт
Кабель: для сервоприводів; 1,5м; Стандарт: Omron; Sigma-5; 400Вт

7845,30 грн

Вид кабелю:
brake; power
Довжина кабелю:
1,5м
Модель:
з гальмом
Потужність двигуна макс.:
0,4кВт
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: thick film; 9,31кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 9,31кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Манометр; -1÷9бар; Клас: 2,5; 40мм; Темп: -20÷60°C; пластик; 111.10
Манометр; -1÷9бар; Клас: 2,5; 40мм; Темп: -20÷60°C; пластик; 111.10

0,00 грн

Вимір:
тиску
Властивості вимірювальних приладів:
нижнє положення датчика
Діаметр:
40мм
Діапазон вимірювання тиску:
-1...9бар
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD