Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 0,005А; Idm: 500А

Немає в наявності
Код товару: SUM60030E-GE3
102,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: SUM60030E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 94нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 3,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 5мА
Струм стоку в імпульсі: 500А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 78; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 78; SMT; straight

258,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,4мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 2,05кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 2,05кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

2,45 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 43пФ; 50В; CHA; ±2%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 43пФ; 50В; CHA; ±2%; SMD; 0402; 180мм

0,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 305Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 305Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPST; 0,7A/250ВAC; OFF-(ON); IP40
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPST; 0,7A/250ВAC; OFF-(ON); IP40

359,22 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас герметичності:
IP40
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; AS; 200В

1,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Захисна кришка; роз'ємів "мама"; шнур; чорний
Захисна кришка; роз'ємів "мама"; шнур; чорний

328,81 грн

Застосування роз’ємів:
роз'ємів "мама"
Колір:
чорний
Механічний монтаж:
шнур
Тип аксесуарів для роз’ємів:
захисна кришка
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD