Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 130А

Немає в наявності
Код товару: SIR680LDP-T1-UE3
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR680LDP-T1-UE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 90нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 2,8мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 130А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V

182,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V

163,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; VDFN20; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; VDFN20; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм

56,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
внутрішній датчик температури; зміцнення входів ADC
Інтерфейс:
debugWIRE; I2C; SPI
Кількість в наборі/упаковці:
6000шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
120пФ; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷150°C
120пФ; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷150°C

117,21 грн

Виводи:
радіальні
Довжина відводів:
5,9мм
Допуск:
±5%
Ємність:
0,12нФ
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 470нФ; 450ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 470нФ; 450ВDC; THT; ±10%

9,88 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 12А; Дл: 0,25м
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 12А; Дл: 0,25м

239,48 грн

Довжина проводу:
0,25м
Ізоляційний матеріал проводу:
силікон
Колір:
чорний
Конструкція вимірювального проводу:
вилка типа "банан" 4 мм; з обох сторін
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD