Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 20А; Idm: 84А; 48Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJA86EP-T1_GE3
26,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJA86EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 19мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 84А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 31; THT; straight
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 31; THT; straight

32,06 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина:
8,5мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 1.5A

364,29 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; PS; 200В

2,40 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Модуль: router; 2G,3G; 61,25x85,75x24,5мм; IEEE 802.11b/g/n
Модуль: router; 2G,3G; 61,25x85,75x24,5мм; IEEE 802.11b/g/n

8970,49 грн

Інтерфейс:
LAN; RS485; SIM; WiFi
Комунікаційний протокол:
IEEE 802.11b/g/n
Напруга живлення:
10,8...60В DC
Підключення:
RJ45; SIM; SMA; роз'єм живлення
Недоступний
Резистор: thick film; 75кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJUP6D
Резистор: thick film; 75кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJUP6D

2,41 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 69,8Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 69,8Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 30В; SMD; DO213AB; 50нА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 30В; SMD; DO213AB; 50нА; ролик,cтрічка

170,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
30В
Корпус:
DO213AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8

34,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK