Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 210А; 395Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJ182EP-T1_GE3
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ182EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 64нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 395Вт
Струм стока: 210А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,4пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; 150В

0,77 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 68Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 68Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

13,87 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; ±20%; V; 3,5x3,2x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; ±20%; V; 3,5x3,2x1,8мм

17,49 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
3,5x3,2x1,8мм
Перемикач: DIP-SWITCH; Поз: 2; SMT; Растр: 2,54мм; Вив: J-Bend
Перемикач: DIP-SWITCH; Поз: 2; SMT; Растр: 2,54мм; Вив: J-Bend

62,72 грн

Виводи:
J-Bend
Загальна довжина:
0,005мм
Кількість всіх позицій:
2
Конфігурація контактів:
SPST
Конденсатор: керамічний; 5,7пФ; 25ВDC; C0G (NP0); SMD; 0,33мм
Конденсатор: керамічний; 5,7пФ; 25ВDC; C0G (NP0); SMD; 0,33мм

0,73 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,7пФ
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 1,1Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,1Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,25 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD