Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 250А; Idm: 1200А

Немає в наявності
Код товару: SQJQ184ER-T1_GE3
136,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ184ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 183нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 1,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм стока: 250А
Струм стоку в імпульсі: 1,2кА
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Блок живлення: імпульсний; плагін,мережевий,штепсельний; 9ВDC
Блок живлення: імпульсний; плагін,мережевий,штепсельний; 9ВDC

447,29 грн

Вид блоку живлення:
мережевий; плагін; штепсельний
Вид вихідного з'єднання:
5,5/2,1
Вихідна напруга:
9В DC
Відповідність стандарту:
Energy efficiency Level VI
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 180мм

20,91 грн

Alias:
KGM31TR72D102KU
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 180мм

3,39 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 20Ом; THT; 250мВт; ±5%; 300В; осьові; L: 6,1мм
Резистор: вуглецевий; 20Ом; THT; 250мВт; ±5%; 300В; осьові; L: 6,1мм

1,64 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,1мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 330мм

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Пробійник отворів; Ø: 47мм; Товщ.мат.макс: 4мм; Різьба: M16
Пробійник отворів; Ø: 47мм; Товщ.мат.макс: 4мм; Різьба: M16

1918,40 грн

Вид різьблення:
тонка нитка
Діаметр:
47мм
Різьба:
M16
Тип інструмента:
пробійник отворів
Недоступний
Резистор: thin film; 158Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 158Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

15,97 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт

350,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
10,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD