Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 34А; 3,4Вт

Немає в наявності
Код товару: SIEH4800EW-T1-GE3
187,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SIEH4800EW-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 278нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 1,15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,4Вт
Струм стока: 34А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 120нс; DO220AA,SMP; Ufmax: 1,6В
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 120нс; DO220AA,SMP; Ufmax: 1,6В

10,71 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
DO220AA; SMP
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 117; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 117; THT; straight

131,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
22,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 383Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 383Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 1

224,91 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±5%; ERJP08J
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±5%; ERJP08J

1,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Роз’єм: круглі; затискання; прямий; 13AWG; промислова
Роз’єм: круглі; затискання; прямий; 13AWG; промислова

13,94 грн

Connector family:
промислова
Електричний монтаж:
затискання
Просторова орієнтація:
прямий
Розмір проводу:
13AWG
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD