Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 36А; Idm: 120А
Brand: VISHAY
SKU: SQJA82EP-T1_GE3
Price: 37.38 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 36А; Idm: 120А

Немає в наявності

Код товару: SQJA82EP-T1_GE3

37,38 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SQJA82EP-T1_GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

60нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

80В

Опір в стані провідності:

8,2мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

68Вт

Струм стока:

36А

Струм стоку в імпульсі:

120А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Диференційний вимикач; Iном: 6А; Iдіф: 300мА; Полюси: 1+N; IP20

3547,90 грн

Вид вимикача:
тип AC

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА

Диференціальний струм:
0,3А

Імпульсний струм:
250А

Недоступний

Бажані

Резистор: thin film; 237Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

17,11 грн

Вид резистора:
прецизійний

Допуск:
±0,05%

Корпус - дюйм:
1206

Корпус - мм:
3216

Недоступний

Бажані

Резистор: thin film; 200кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм

Допуск:
±0,1%

Корпус - дюйм:
0603

Корпус - мм:
1608

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
21,5нКл

Корпус:
PowerPAK® SC70

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
PowerPAK® 1212-8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
72нКл

Корпус:
FG (TO263AB)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT323

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
142нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна

Заряд затвора:
115нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT523

Модель:
ESD