Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 36А; Idm: 120А

Немає в наявності
Код товару: SQJA82EP-T1_BE3
37,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJA82EP-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 8,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 68Вт
Струм стока: 36А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 1000пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 1000пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0603

3,40 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 330мкФ; 25ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 330мкФ; 25ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%

17,11 грн

Висота:
10,2мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвих: 3,2А
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвих: 3,2А

11235,44 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
3,2А
Відповідність стандарту:
EN 50155
Резистор: thick film; 1206; 600мВт; ±5%; 3,2x1,6мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1206; 600мВт; ±5%; 3,2x1,6мм; -55÷155°C

4,62 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Потужність:
0,6Вт
Недоступний
Резистор: thin film; 11кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 11кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 5В; 3А; TO3
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 5В; 3А; TO3

5321,85 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
3А
Недоступний
Резистор: thin film; 9,1Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 9,1Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6