Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 42,8А

Немає в наявності
Код товару: SISS5812DN-T1-GE3
23,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SISS5812DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 13,5мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 42,8А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 49,9кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 49,9кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

73,49 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THT; 3A; 250V

168,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Діод: зенера; 2Вт; 11В; DO15; одиночний діод; Ammo Pack
Діод: зенера; 2Вт; 11В; DO15; одиночний діод; Ammo Pack

34,21 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
11В
Корпус:
DO15
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 19А; Дл: 0,5м
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 19А; Дл: 0,5м

462,49 грн

Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
силікон
Колір:
фіолетовий
Конструкція вимірювального проводу:
вилка типа "банан" 4 мм; з обох сторін
Недоступний
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 3,2нГн; 900мА; R: 0,09Ом; LQG
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 3,2нГн; 900мА; R: 0,09Ом; LQG

2,52 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,3нГн
Індуктивність:
3,2нГн
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

2,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
22нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; PDFN56U
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; PDFN56U

125,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PDFN56U
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,7нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323

2,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT323