Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 46А; 55Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJA84EP-T1_BE3
30,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJA84EP-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 80В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 55Вт
Струм стока: 46А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 330кОм; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 330кОм; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; 100ppm/°C

6,34 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
0,33МОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 100В; 1А; Ifsm: 50А; DO15,DO204AC; ролик
Діод: випрямний; THT; 100В; 1А; Ifsm: 50А; DO15,DO204AC; ролик

3,67 грн

Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DO15; DO204AC
Недоступний
Резистор: thick film; 348Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 348Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,81 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Дисплей: LED; 7-сегментний; 9,1мм; 0,36"; Кільк.зн: 2; синій; 40мкд
Дисплей: LED; 7-сегментний; 9,1мм; 0,36"; Кільк.зн: 2; синій; 40мкд

67,16 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
9,1мм, 0,36"
Довжина хвилі λd:
460...475нм
К-ть знаків:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 50Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 50Вт; TO263

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD